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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSP120 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | BSP120 |
April 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP120
Feedback capacitance at f = 1 MHz;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
typ.
max.
5
10
pF
pF
C
rss
Switching times (see Figs 2 and 3)
I
D
= 250 mA; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0 to 10 V
t
on
typ.
max.
3
6
ns
ns
t
off
typ.
max.
15
20
ns
ns
Fig.2 Switching time test circuit.
handbook, halfpage
MBB691
50
VDD = 50 V
ID
10 V
0 V
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB692
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.4 T
j
= 25
°
C; typical values.
handbook, halfpage
14
4
6
ID
(mA)
RDSon (
)
8
10
12
3
10
2
10
MDA738
VGS = 10 V
5 V
4 V
Fig.5 T
j
= 25
°
C; V
DS
= 10 V; typical values.
handbook, halfpage
(A)
0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2
4
6
8
MDA739
VGS (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP121 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP127 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP128 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP145 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP16T3 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP1201.20M | 制造商:TE Connectivity 功能描述:CGPT Polyolefin Heatshrink 1.2mm Black |
| BSP1203SM-25-T/R | 制造商:INTERVOX/ICC 功能描述:75 dB 25 Vp-p DC 4500 500 Hz SMD Buzzer |
| BSP120T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-223 |
| BSP121 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSP121T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-223 |
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