- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369501 > BSP107 (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BSP107 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | BSP107 |
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP107
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Device mounted on an epoxy printed circuit board, 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm. Mounting pad for the drain lead
minimum 6 cm
2
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
drain current
total power dissipation
storage temperature range
operating junction temperature
200
20
200
350
V
V
mA
mA
W
°
C
°
C
open drain
DC
peak
up to T
amb
= 25
°
C
1.5
150
150
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
from junction to ambient (note 1)
83.3
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP108 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP120 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP121 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP127 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP128 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP107T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 200MA I(D) | SOT-223 |
| BSP108 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP108T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
| BSP10FA5 | 制造商:CIT 制造商全稱:CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
| BSP10FB | 制造商:CIT 制造商全稱:CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。