參數(shù)資料
型號： BSM400GA120DN2S
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 550A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 550A一（c）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 339K
代理商： BSM400GA120DN2S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM10GP60 IGBT-Module
BSM10GP602 IGBT Module
BSM141 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 60A I(D)
BSM150GAL100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
BSM151FR TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 56A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM400GA120DN2S_E3256 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 2.5V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM400GA170DL 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM400GA170DL C# 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM400GA170DLC 功能描述:IGBT 模塊 1700V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM400GA170DLS 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*