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相關(guān)PDF資料	PDF描述
BSM400GA120DN2S	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 550A I(C)
BSM10GP60	IGBT-Module
BSM10GP602	IGBT Module
BSM141	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 400V V(BR)DSS \| 60A I(D)
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PDF描述

BSM400GA120DN2S

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BSM10GP60

IGBT-Module

BSM10GP602

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BSM141

TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 60A I(D)

BSM150GAL100D

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BSM35GD120DN2E3224	功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GP120	功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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BSM35GP120G	功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM3650	制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT

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參數(shù)描述

BSM35GD120DN2E3224

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BSM35GP120

功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

BSM35GP120BOSA1

功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:10

BSM35GP120G

BSM3650

制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT

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型號(hào)：	BSM35GD120DN2
英文描述：	High Efficient Rectifier Diodes
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\| 3 - PH值大橋\| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展\| 50A條一（c）
文件頁(yè)數(shù)：	4/8頁(yè)
文件大?。?/td>	339K
代理商：	BSM35GD120DN2

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