參數(shù)資料
型號： BSM300GA100D
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 300?我（丙）
文件頁數(shù)： 8/8頁
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代理商： BSM300GA100D
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關PDF資料
PDF描述
BSM300GA120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DN2 IGBT Module
BSM300GA120DN2S High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA160D High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA170DLC High Efficient Rectifier Diodes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BSM300GA120D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DLCS 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DLCS_B7 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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