參數(shù)資料
型號(hào)： BSM300GA100D
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1KV交五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 300?我（丙）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： BSM300GA100D
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 30A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
30
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 125°C
-
32
-
ns
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 30A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 25°C
t
r
-
6,5
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 125°C
-
7
-
ns
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 30A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
75
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 125°C
-
85
-
ns
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 30A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 25°C
t
f
-
12
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 6,8
, T
vj
= 125°C
-
18
-
ns
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 30A, V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
R
G
= 6,8
, T
vj
= 125°C, L
σ
= 15nH
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 30A, V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
R
G
= 6,8
, T
vj
= 125°C, L
σ
= 15nH
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=360V, V
CEmax
=V
CES
-L
σ
CE
·dI/dt
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
σ
CE
-
60
-
nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
T
C
= 25°C
R
CC'+EE'
-
8,0
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 30 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
1,25
1,6
V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1,20
-
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 1400A/μsec
V
R
= 300V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
62
-
A
V
R
= 300V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-
64
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 1400A/μsec
V
R
= 300V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
2,1
-
μAs
V
R
= 300V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-
3,3
-
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 1400A/μsec
V
R
= 300V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
-
-
mWs
V
R
= 300V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-
0,9
-
mWs
E
off
E
on
I
SC
0,3
-
-
mWs
0,8
-
-
mWs
-
135
-
A
2 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM300GA120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DN2 IGBT Module
BSM300GA120DN2S High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA160D High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA170DLC High Efficient Rectifier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM300GA120D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DLCS 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DLCS_B7 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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