參數(shù)資料
型號(hào)： BSM300GA100D
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1KV交五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 300?我（丙）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 92K
代理商： BSM300GA100D
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 70°C
I
C,nom.
30
A
T
C
= 25 °C
I
C
40
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 70°C
I
CRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
135
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
30
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
60
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
240
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 30A, V
GE
= 15V, Tvj = 25°C
-
1,95
2,45
V
I
C
= 30A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
2,20
-
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 0,7mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
1,3
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
0,1
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
-
1
500
μA
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1
-
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Andreas Vetter
date of publication: 2000-04-26
approved by: Michael Hornkamp
revision: 1
V
CE sat
I
CES
1 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM300GA120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DN2 IGBT Module
BSM300GA120DN2S High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA160D High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA170DLC High Efficient Rectifier Diodes
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參數(shù)描述
BSM300GA120D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DLCS 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DLCS_B7 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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