參數(shù)資料
型號(hào)： BSM200GA170DN2S
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.7KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 290A條一（c）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： BSM200GA170DN2S
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PDF描述
BSM100GB100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB120DLCK Avalanche Rectifier Diodes
BSM100GB160D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 135A I(C)
BSM20GD60DN2E3224 High Efficient Rectifier Diodes
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參數(shù)描述
BSM200GA170DN2S C 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM200GA170DN2S_E3256 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GAL120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GAR120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAR CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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