- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369499 > BSM15GP120 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) IGBT-Modules PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BSM15GP120 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 349K |
| 代理商： | BSM15GP120 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM204A | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA100D | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA120D | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA120DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA160D | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM15GP120_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM15GP60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM15GP602 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| BSM180D12P2C101 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE: 1200V, 180A (NO DIODE) - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, Threshold Voltage Vgs:2.7V, Power Dissipation Pd:1.13kW, Operating Temperature Min:-40C, Operating |
| BSM180D12P3C007 | 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。