參數(shù)資料
型號(hào): BSM15GP120
廠(chǎng)商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Modules
中文描述: 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-24
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 349K
代理商: BSM15GP120
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSM15GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM15GP602 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:IGBT Module
BSM180D12P2C101 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE: 1200V, 180A (NO DIODE) - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, Threshold Voltage Vgs:2.7V, Power Dissipation Pd:1.13kW, Operating Temperature Min:-40C, Operating
BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12