參數(shù)資料
型號： BSM150GB100D
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 150A一（c）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： BSM150GB100D
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PDF描述
BSM150GB120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
BSM150GB160D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C)
BSM150GB170DLC IGBT Module
BSM150GD60DLC IGBT Module
BSM150GXL120DN2 IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM150GB120D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
BSM150GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2_E3166 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 210A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2_E3166C-SE 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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