參數(shù)資料
型號(hào)： BSM150GD60DLC
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 349K
代理商： BSM150GD60DLC
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PDF描述
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BSM150GXR120DN2 IGBT Module
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BSM151F(C) Avalanche Fast Recovery Rectifier Diodes
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參數(shù)描述
BSM150GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GT170DL 制造商:Eupec 功能描述:150 Amp, 1700 Volt
BSM150GXL120DN2 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:IGBT Module
BSM150GXR120DN2 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:IGBT Module
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