參數(shù)資料
型號(hào)： BSM150GAL120DLC
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大小： 349K
代理商： BSM150GAL120DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM150GB100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
BSM150GB120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
BSM150GB160D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C)
BSM150GB170DLC IGBT Module
BSM150GD60DLC IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM150GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GAL120DN2E3166 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)
BSM150GAR120DN2 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
BSM150GB100D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM150GB120D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
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