參數(shù)資料
型號： BSC034N03LSCG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： JFETs
英文描述： 22 A, 30 V, 0.0051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, PLASTIC, TDSON-8
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 380K
代理商： BSC034N03LSCG
BSC034N03LS G
OptiMOS3 Power-MOSFET
Features
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC
1) for target applications
N-channel
Logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Superior thermal resistance
Avalanche rated
Pb-free plating; RoHS compliant; Halogen Free
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I D
V GS=10 V, T C=25 °C
100
A
V GS=10 V, T C=100 °C
69
V GS=4.5 V, T C=25 °C
89
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
56
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W
2)
22
Pulsed drain current
3)
I D,pulse
T C=25 °C
400
Avalanche current, single pulse
4)
I AS
T C=25 °C
50
Avalanche energy, single pulse
E AS
I D=50 A, R GS=25
55
mJ
Gate source voltage
V GS
±20
V
Value
1) J-STD20 and JESD22
V DS
30
V
R DS(on),max
3.4
m
I D
100
A
Product Summary
PG-TDSON-8
Type
Package
Marking
BSC034N03LSC G
PG-TDSON-8
034N03LS
Rev. 1.1
page 1
2009-09-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSC084P03NS3G 14.9 A, 30 V, 0.0084 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BSF030NE2LQ 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BSZ086P03NS3EG 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BT485AKHJ170 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84
BT485AKPJ135 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSC034N03LSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSC034N03LSGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC034N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 41μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BSC035N04LS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSC035N04LSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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