參數(shù)資料
型號： BS208
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 200 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BS208
April 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BS208
FEATURES
Direct interface to C-MOS
High-speed switching
No secondary breakdown.
DESCRIPTION
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor in a TO-92
envelope. Intended for use in relay,
high-speed and line transformer
drivers.
PINNING - TO-92
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
source
gate
drain
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM149
s
d
g
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
200
±
20
0.2
14
0.83
UNIT
V
DS
V
GSO
Y
fs
I
D
R
DS(on)
P
tot
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage (DC)
forward transfer admittance
drain current (DC)
drain-source on-state resistance
total power dissipation
100
200
10
V
V
mS
A
W
open drain
I
D
=
200 mA; V
DS
=
25 V
V
GS
=
10 V; I
D
=
200 mA
T
amb
= 25
°
C
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