參數(shù)資料
型號(hào): BLF0810-90
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Base station LDMOS transistors
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: CERAMIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 7/16頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商: BLF0810-90
2003 Jun 12
7
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-90; BLF0810S-90
handbook, full pagewidth
MDB168
Vbias
RF in
C2
C1
R1
L5
L1
L2
L3
L4
L6
L7
L9
L8
L12
L11
L14
L10
L13
L15
L16
C3
C6
C5
C8
C14
C18
C15
C16
C12
C11
C13
C10
C9
C17
C7
Q1
Q2
C4
Vsupply
RF out
Fig.12 Test circuit for 860 to 900 MHz.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF0810S-90 Base station LDMOS transistors
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BLF2022-40 UHF power LDMOS transistor
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參數(shù)描述
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BLF082 功能描述:FILTER RFI 82PF SMD RoHS:是 類別:濾波器 >> EMI/RFI(LC、RC 網(wǎng)絡(luò)) 系列:BLF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,500 系列:- 類型:低通 技術(shù):LC 通道數(shù):10 中心 / 截止頻率:- 衰減值:45dB @ 800MHz ~ 2.2GHz 電阻 - 通道 (Ohms):90 電流:25mA 值:C = 28pF(總計(jì)) ESD 保護(hù):是 濾波器階數(shù):5th 應(yīng)用:移動(dòng)設(shè)備的數(shù)據(jù)線路 封裝/外殼:24-UFBGA 尺寸/尺寸:0.083" L x 0.083" W(2.10mm x 2.10mm) 高度:0.026"(0.65mm) 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 其它名稱:SP000454322
BLF0910H6L500U 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:900MHz ~ 930MHz 增益:19dB 電壓 - 測(cè)試:50V 額定電流:2.8μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:90mA 功率 - 輸出:500W 電壓 - 額定:114.5V 封裝/外殼:SOT-502A 供應(yīng)商器件封裝:SOT502A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60
BLF0910H6LS500U 功能描述:RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS(雙),共源 頻率:2.5GHz ~ 2.69GHz 增益:14.8dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:400mA 功率 - 輸出:150W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT1275-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60