參數資料
型號： BLF0810-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁數： 6/16頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： BLF0810-90
2003 Jun 12
6
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-90; BLF0810S-90
handbook, halfpage
ZI
(
)
0.8
0.85
0.9
1
1
1
2
0
0.95
MDB176
f (GHz)
xi
ri
Fig.9
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-AB operation; V
DS
= 27 V; I
DQ
= 560 mA; P
L
= 18 W.
Values comprised for different parameters.
handbook, halfpage
ZL
(
)
MDB177
0.8
0.85
0.9
1
1
1
2
0
0.95
f (GHz)
XL
RL
Fig.10 Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-AB operation; V
DS
= 27 V; I
DQ
= 560 mA; P
L
= 18 W.
Values comprised for different parameters.
handbook, halfpage
MGS998
ZL
drain
gate
ZIN
Fig.11 Definition of transistor impedance.
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PDF描述
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