參數(shù)資料
型號： BLF0810-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： BLF0810-90
2003 Jun 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-90; BLF0810S-90
handbook, halfpage
d5
(dBc)
MDB172
0
20
100
20
60
80
40
40
60
80
PL (PEP) (W)
IDQ = 600 mA
500 mA
400 mA
450 mA
Fig.5
Fifth order intermodulation distortion as a
function of peak envelope power; typical
values.
V
DS
= 27 V; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
handbook, halfpage
d7
(dBc)
MDB173
0
20
100
20
60
80
40
40
60
80
PL (PEP) (W)
IDQ = 600 mA
500 mA
400 mA
450 mA
Fig.6
Seventh order intermodulation distortion as
a function of peak envelope power; typical
values.
V
DS
= 27 V; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
20
30
40
50
15
5
0
10
MDB174
40
0
10
20
30
PL (AV)(dBm)
Gp
η
D
(%)
η
D
Fig.7
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of average load power; typical values.
V
= 27 V; I
= 560 mA; f = 890 MHz.
measured under CDMA conditions; test signal standard IS-95.
handbook, halfpage
ACPR
(dB)
20
30
40
50
20
60
80
40
MDB175
PL (AV)(dBm)
750 kHz
1.98 MHz
Fig.8
ACPR as a function of average load power;
typical values.
V
= 27 V; I
= 560 mA; f = 890 MHz.
measured under CDMA conditions; test signal standard IS-95.
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BLF0910H6LS500U 功能描述:RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:2.5GHz ~ 2.69GHz 增益:14.8dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:150W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT1275-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60
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