- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369465 > BGY119C RF Amplifier PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BGY119C |
| 英文描述： | RF Amplifier |
| 中文描述： | 射頻放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | BGY119C |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)當(dāng)前第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)
1996 May 13
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier modules
BGY115A; BGY115B;
BGY115C/P; BGY115D
Fig.20 Control voltage and VSWR input as functions
of frequency; BGY115C/P, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; P
L
= 1.4 W; V
S
= 6 V; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
VC
(V)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
940
920
f (MHz)
880
860
3
2
1
0
MBD615
900
VSWRin
VSWRin
VC
Fig.21 Efficiency as a function of frequency;
BGY115C/P, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; P
L
= 1.4 W; V
S
= 6 V; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
900
860
880
940
920
0
20
40
MBD616
f (MHz)
η
(%)
Fig.22 Harmonics as functions of frequency;
BGY115C/P, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; P
L
= 1.4 W; V
S
= 6 V; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
H2, H3
(dBc)
70
60
50
40
30
860
880
900
920
f (MHz)
H3
H2
MBD617
940
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BGY118B | SHF POWER MODULE |
| BGY113C | RF Amplifier |
| BGY148A | HF amplifier modules |
| BGY148B | HF amplifier modules |
| BGY1916 | UHF amplifier module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BGY120A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF amplifier modules |
| BGY120B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF amplifier modules |
| BGY120D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Amplifier |
| BGY122A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF amplifier modules |
| BGY122AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。