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參數(shù)資料
| 型號： | BGF802-20 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | CDMA800 power module |
| 中文描述： | 869 MHz - 894 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | BGF802-20 |
2003 Feb 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
CDMA800 power module
BGF802-20
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
4
8
16
30
29.2
28.8
29.6
48
36
12
0
24
12
MBL766
Gp
η
η
(%)
PL (AV) (W)
Fig.6
Two tone power gain and efficiency as
functions of load power; typical values.
f
1
= 882 MHz; f
2
= 883 MHz.
handbook, halfpage
(dBc)
0
4
8
16
70
30
PL (AV) (W)
12
40
50
60
MBL767
d3
d5
d7
Fig.7
Two tone intermodulation distortion as
function of load power; typical values.
f
1
= 882 MHz; f
2
= 883 MHz.
handbook, halfpage
ACPR400 kHz
(dBc)
0
PL (AV) (W)
4
12
68
8
2
6
10
66
64
62
60
MBL768
Fig.8
GSM EDGE ACPR at 400 kHz as a function
of load power; typical values.
f = 882 MHz.
handbook, halfpage
EVMrms
(%)
0
4
12
PL (AV) (W)
3
1
0
2
8
2
6
10
MBL769
Fig.9
GSM EDGE rms EVM as a function of load
power; typical values.
f = 882 MHz.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BGM0505-FEC | CONNECTOR 25MM/M25 |
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| BGN585B | |
| BGN587 | |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BGF8158Z | 功能描述:MMIC 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:5,000 |
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| BGF844,127 | 功能描述:射頻放大器 LDMOS MOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| BGF844,135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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