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參數(shù)資料
| 型號： | BGF802-20 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | CDMA800 power module |
| 中文描述： | 869 MHz - 894 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | BGF802-20 |
2003 Feb 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
CDMA800 power module
BGF802-20
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
CHARACTERISTICS
T
mb
= 25
°
C; V
S
= 28 V; P
L
= 3.0 W; f = 869 to 894 MHz; Z
S
= Z
L
= 50
;
unless otherwise specified.
Note
1.
G
Pi
is small signal in-band gain.
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
V
S
P
D
P
L
T
stg
T
mb
DC supply voltage
input drive power
load power
storage temperature
operating mounting base temperature
30
20
30
100
30
+100
+90
V
mW
W
°
C
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
DQ
P
1dB
G
p
G
p freq
quiescent current (pin 2)
load power
power gain
gain flatness over
frequency range
gain flatness over power
band
phase linearity over
frequency range
delay flatness
out of band gain
P
D
= 0 mW
at 1 dB gain compression
245
18
28
280
25
30
0.2
320
32
1.0
mA
W
dB
dB
G
p pwr
P
L
= 30 mW up to 3 W
0.8
0.2
0.2
dB
freq
0.2
deg
200
G
Pimax
+ 1
note 1
2.0 : 1
34
58
ps
dB
G
OB
small signal, P
D
= 0 dBm;
f < 869 MHz, f > 894 MHz
VSWR
in
H
2
H
3
input VSWR
second harmonic
third harmonic
stability
all spurious outputs more than 60 dB
below desired signal
no degradation in output power
1.6 : 1
37
61
dBc
dBc
VSWR
≤
3 : 1 through all
phases; V
S2
= 25 to 28 V
VSWR = 10 : 1 through all
phases; P
L
= 5 W
ruggedness
IS95 CDMA
(P
L
= 3 W average)
η
ACPR
750 kHz
ACPR
1.98 MHz
efficiency
spectral regrowth;
measured in 30 kHz RBW
15
18
53
69
49
66
%
dBc
dBc
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BGM0404-FEC | CONNECTOR 20MM/M20 |
| BGM0505-FEC | CONNECTOR 25MM/M25 |
| BGN501 | CATV Wideband Amplier |
| BGN585B | |
| BGN587 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BGF802-20,127 | 功能描述:射頻放大器 LDMOS MOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| BGF8158Z | 功能描述:MMIC 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
| BGF844 | 功能描述:射頻放大器 LDMOS MOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| BGF844,127 | 功能描述:射頻放大器 LDMOS MOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| BGF844,135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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