Electrical Characteristics
參數(shù)資料
型號(hào)： BGF 110 E6327
廠商： Infineon Technologies
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MEMORY CARD PROTECT S-WLP-24
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
類型： 濾波器，HSMMC，帶 ESD 保護(hù)
應(yīng)用： HSMMC（高速多媒體卡）
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 24-UFBGA，WLCSP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： S-WLP-24
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： BGF110E6327XT
SP000210963
BGF110
SD Card Interface ESD Protection
Data Sheet
5
V2.2, 2007-07-04
Figure 1
Schematic
Table 2
Electrical Characteristics1)
1) at
T
A =25 °C
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note /
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Series Resistors
R
1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9
R
11, R12, R13, R14
R
15
R
21
R
1...9
R
11...14
R
15
R
21
32
35
10.5
329
40
50
15
470
48
65
19.5
611
k
k
k
Reverse current of ESD protection diodes
I
R
0.1
120
nA
A
V
R =3 V
V
R =14V
Line capacitance
Capacitance of each line to GND2)
2) Without line coupling by resistors
R
11 - R21
C
T
13.5
11.5
20
pF
V
R =0 V
V
R =5 V
BGF110_schematic.vsd
SDWP+CD
GND_H
SDWP
SDCD
SDDATA3
SDDATA2
SDDATA1
SDDATA0
WP+CD
WP
CD
DATA3
DATA2
DATA1
DATA0
R1, 40
R
12,
50k
R
11,
50k
R2, 40
R3, 40
R4, 40
R5, 40
R6, 40
R
13,
50k
R
14,
50k
R
15,
15k
E2
E1
A1
A2
B1
C2
D1
E5
E4
A4
A5
B4
C4
D4
R7, 40
R8, 40
R9, 40
CMD
CLK
SDCMD
SDCLK
DAT3_PD
C1
DAT3_PU
R21, 470k
VSD
GND_C
A3
C5
D5
B5
D3, E3
B2
D2
C3
Ext. IOs
Int. IOs
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PDF描述
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