- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373019 > BFS386L6 ?NPN Silicon TWIN mixed type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz? PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BFS386L6 |
| 英文描述： | ?NPN Silicon TWIN mixed type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz? |
| 中文描述： | ？NPN硅雙混合型射頻晶體管TSLP - 6 VCO模塊封裝到4GHz的理想？ |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | BFS386L6 |
Feb-28-2002
1
BFS386L6
P-TSLP-6-1
1
2
3
4
5
6
NPN Silicon RF Transistor
Preliminary data
Low voltage/ low current operation
For low noise amplifiers
For oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm
Low noise figure: TR1: 1.0dB at 1.8 GHz
TR2: 1.1 dB at 1.8 GHz
ESD
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe handling precaution!
Type
BFS386L6
Marking
FD
Pin Configuration
Package
1=C1 2=E1
3=C2 4=B2
5=E2
6=B1
TSLP-6-1
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
TR1
TR2
Symbol
V
CEO
Value
6
6
Unit
V
Collector-emitter voltage
TR1
TR2
V
CES
15
15
Collector-base voltage
TR1
TR2
V
CBO
15
15
Emitter-base voltage
TR1
TR2
V
EBO
2
2
Collector current
TR1
TR2
I
C
35
80
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS55A | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFS62 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFT49 | NPN |
| BFT57DCSM | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 160V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC |
| BFT59DCSM | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFS460L6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF TWIN Transistor |
| BFS466L6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF TWIN Transistor |
| BFS469L6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF TWIN Transistor |
| BFS480 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
| BFS480E-6634 | 制造商:Siemens 功能描述:2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。