參數(shù)資料
型號： BFS20
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 25 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： BFS20
C
B
E
SOT23
SOT23 NPN SILICON PLANAR
VHF TRANSISTOR
ISSUE 3 JANUARY 1996
%
PARTMARKING DETAIL G1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
30
V
Collector-Emitter Voltage
20
V
Emitter-Base Voltage
4
V
Peak Pulse Current
25
mA
Continuous Collector Current
25
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
10
nA
μ
A
V
CB
=20V, I
E
=0
V
CB
=20V, I
E
=0,
T
amb
=100°C
Base-Emitter Voltage
V
BE
740
900
mV
I
C
=7mA, V
CE
=10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
40
85
I
C
=7mA, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
275
450
MHz
I
=5mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Feedback Capacitance
C
re
0.35
0.40
pF
I
=1mA, V
CE
=10V
f=1MHz
Collector Capacitance
C
TC
0.8
pF
I
=I
=0, V
CB
=10V
f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
3 - 53
BFS20
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PDF描述
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