參數(shù)資料
型號(hào)： BFG93X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述： npn型6 GHz的寬帶晶體管（npn型第六代赫茲寬帶晶體管）
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大小： 133K
代理商： BFG93X
1998 Sep 23
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistors
BFG93A; BFG93A/X
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
300
100
0
200
MBG245
150
Ts(
o
C)
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
handbook, halfpage
0
10
20
30
0
40
80
MCD087
hFE
IC
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= i
c
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0
4
8
16
0
MCD088
12
0.8
0.6
0.4
0.2
CB
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V; T
amb
= 25
°
C; f = 500 MHz.
handbook, halfpage
T
0
10
20
40
6
2
0
4
MCD089
30
IC
(GHz)
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG93 NPN 6 GHz wideband transistors
BFP196T Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TR Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TW Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP619 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BFG94,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG94T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-223
BFG97 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor
BFG97,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 15V 5.5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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