參數(shù)資料
型號： BFG93X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述： npn型6 GHz的寬帶晶體管（npn型第六代赫茲寬帶晶體管）
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： BFG93X
1998 Sep 23
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistors
BFG93A; BFG93A/X
SPICE parameters for BFR91A(/X) die
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19 (note 1)
20 (note 1)
21 (note 1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35 (note 1)
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
1.328
102.0
1.000
51.90
8.155
13.90
15.12
17.69
994.0
3.280
10.00
1.043
1.189
10.00
1.000
10.00
763.6
9.000
0.000
1.110
3.000
2.032
600.0
290.0
6.557
38.97
10.93
521.0
0.000
1.003
340.8
194.2
120.0
3.073
0.000
fA
V
A
fA
m
V
A
aA
μ
A
m
EV
pF
mV
m
ps
V
mA
deg
pF
mV
m
m
ns
F
Note
1.
These parameters have not been extracted,
the default values are shown.
List of components
(see Fig.19)
36 (note 1)
37 (note 1)
38
VJS
MJS
FC
750.0
0.000
800.0
mV
m
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3
L
B
L
E
84
17
191
0.12
0.21
0.06
0.95
0.40
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
Fig.19 Package equivalent circuit SOT143B.
QL
B
= 50; QL
E
= 50.
QL
B,E
(f) = QL
B,E
√
(f/f
c
).
f
c
= scaling frequency = 1000 MHz.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
LB
LE
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG93 NPN 6 GHz wideband transistors
BFP196T Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TR Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TW Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP619 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG94 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 6 GHz wideband transistor
BFG94,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG94T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-223
BFG97 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor
BFG97,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 5.5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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