參數(shù)資料
型號： BFG590
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFG590<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG590/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 263K
代理商： BFG590
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590; BFG590/X
f = 900 MHz; V
CE
= 4 V.
Fig.6
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
0
20
10
0
100
MLC059
20
40
60
80
gain
(dB)
IC
GUM
Gmax
f = 2 GHz; V
CE
= 4 V.
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
0
8
4
0
100
MLC060
20
40
60
80
gain
(dB)
IC
GUM
Gmax
I
C
= 20 mA; V
CE
= 4 V.
Fig.8
Gain as a function of frequency;
typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLC061
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
Fig.9
Gain as a function of frequency;
typical values.
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLC062
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
Rev. 04 - 12 November 2007
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG590,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG590 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143
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BFG590/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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