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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG590 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG590<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG590/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | BFG590 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590; BFG590/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
120
5
MAX.
100
250
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
f
T
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage I
C
= 10 mA; I
B
= 0
emitter-base breakdown voltage
collector-base leakage current
DC current gain
transition frequency
I
C
= 0.1 mA; I
E
= 0
20
15
3
60
V
V
V
nA
I
E
= 0.1 mA; I
C
= 0
V
CB
= 10 V; I
E
= 0
I
C
= 70 mA; V
CE
= 8 V; see Fig.3
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V;
f = 1 GHz; see Fig.5
I
C
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz;
see Fig.4
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
GHz
C
re
feedback capacitance
0.7
pF
G
UM
maximum unilateral power gain;
note 1
13
dB
7.5
dB
|S
21
|
2
insertion power gain
11
dB
G
UM
10
S
)
1
2
1
S
11
–
(
S
22
2
–
(
)
-------------------------------------------------------------- dB.
log
=
Rev. 04 - 12 November 2007
4 of 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG590 | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG591 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG591 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG591 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG67 | NPN 8 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG590 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG590,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG590 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143 |
| BFG590/X | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-143 |
| BFG590/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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