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參數(shù)資料
| 型號： | BFG590 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG590<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG590/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | BFG590 |
NXP
Semiconduct
ors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590; BFG590/X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
15
3
200
400
+150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
60
°
C; see Fig.2; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
200
0
400
MBG249
150
Ptot
(mW)
Ts(
o
C)
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
s
≤
60
°
C; note 1
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
290
K/W
Rev. 04 - 12 November 2007
3 of 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG590 | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG591 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG591 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG591 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG67 | NPN 8 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG590 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG590,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG590 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143 |
| BFG590/X | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-143 |
| BFG590/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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