參數(shù)資料
型號： BFG540
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG540/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG540/X/C<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<Alw
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 312K
代理商： BFG540
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540; BFG540/X;
BFG540/XR
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
200
0
400
MBG249
150
Ptot
(mW)
Ts(
o
C)
V
CE
≤
10 V.
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 8 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
10
2
50
100
150
200
MRA749
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0.8
0
4
VCB (V)
8
12
0
0.6
0.4
0.2
MRA750
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
4
8
fT
(GHz)
IC (mA)
MRA751
1
10
10
2
VCE = 8 V
VCE = 4 V
Rev. 05 - 21 November 2007
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PDF描述
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BFG541 NPN 9 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
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BFG540,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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