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參數(shù)資料
| 型號： | BFG540 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG540/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG540/X/C<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<Alw |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 312K |
| 代理商： | BFG540 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540; BFG540/X;
BFG540/XR
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 60134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
TYP.
120
0.5
9
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
I
C
P
tot
h
FE
C
re
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
open emitter
R
BE
= 0
20
15
120
400
250
V
V
mA
mW
T
s
≤
60
°
C; note 1
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; T
j
= 25
°
C
I
C
= 0; V
CE
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
°
C
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain
18
dB
11
dB
insertion power gain
15
16
dB
F
noise figure
1.3
1.8
dB
1.9
2.4
dB
2.1
dB
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
R
BE
= 0
open collector
20
15
2.5
120
400
+150
150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
60
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
s
≤
60
°
C; note 1
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
290
K/W
s
21
2
Rev. 05 - 21 November 2007
3 of 14
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG541 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG541 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG541 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG541 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG540 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG540,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG540/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
| BFG540/X | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN bipolar RF BFG540/X 9GHz |
| BFG540/X T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
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