參數(shù)資料
型號： BFG520W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520W<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG520W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大小： 305K
代理商： BFG520W
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W; BFG520W/X
V
CE
= 6 V.
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
handbook, halfpage
0
10
1
50
100
MLB807
1
10
10
2
IC
FE
h
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
MLB808
0
0.4
0.2
0
2.5
5
7.5
10
VCB
Cre
(pF)
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
8
4
0
MLB809
f
(GHz)
10
2
10
1
T
IC
VCE
6 V
3 V
Rev. 04 - 21 November 2007
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PDF描述
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
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BFG520W,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W/X,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG520W/X Series 15 V 500 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-343N
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