參數(shù)資料
型號(hào)： BFG520W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520W<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG520W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
文件大?。?/td> 305K
代理商： BFG520W
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W; BFG520W/X
Fig.18 Common emitter input reflection coefficient (S
11
); typical values.
handbook, full pagewidth
MLB814
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
180
o
45
o
90
o
135
o
5
2
1
0.5
0.5
1
2
5
5
2
0.2
1
0
3 GHz
0.2
0.2
0.5
40 MHz
V
CE
= 6 V; I
C
= 20 mA; Z
o
= 50
.
Fig.19 Common emitter forward transmission coefficient (S
21
); typical values.
handbook, full pagewidth
MLB815
0
o
90
o
135
o
180
o
90
o
50
40
30
20
10
45
o
135
o
45
o
40 MHz
3 GHz
V
CE
= 6 V; I
C
= 20 mA.
Rev. 04 - 21 November 2007
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PDF描述
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFG520W T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W/X,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG520W/X Series 15 V 500 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-343N
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