參數(shù)資料
型號： BFG520W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520W<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG520W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大小： 305K
代理商： BFG520W
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W; BFG520W/X
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
SOT343N
D
e1
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
A
X
1
2
3
4
Plastic surface mounted package; 4 leads
SOT343N
e
w
M
B
97-05-21
bp
y
b1
Rev. 04 - 21 November 2007
13 of 15
相關PDF資料
PDF描述
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
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BFG520 NPN 9 GHz wideband transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BFG520W T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG520W/X,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG520W/X Series 15 V 500 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-343N
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