參數(shù)資料
型號(hào)： BFG480W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG480W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BFG480W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always
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代理商： BFG480W
1998 Oct 21
9
NXP Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
Noise data
V
CE
= 2 V; typical values.
f
(MHz)
I
C
(mA)
F
min
(dB)
mag
angle
r
n
(
)
900
2
4
6
8
10
20
40
60
80
2
4
6
8
10
12
14
20
40
60
80
1.1
1.1
1.2
1.2
1.3
1.6
2.0
2.3
2.9
2.4
2.0
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.9
2.3
2.6
2.8
0.41
0.31
0.27
0.26
0.28
0.39
0.49
0.57
0.45
0.57
0.49
0.46
0.44
0.43
0.44
0.44
0.46
0.52
0.56
0.60
96.1
106.6
118.4
131.7
143.2
166.2
176.0
179.5
177.3
171.9
178.9
175.7
171.7
168.4
165.3
163.7
158.3
150.2
147.7
146.1
0.21
0.14
0.12
0.10
0.10
0.07
0.07
0.07
0.18
0.09
0.08
0.09
0.09
0.09
0.10
0.10
0.11
0.14
0.18
0.22
2000
Fig.13 Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
handbook, halfpage
Fmin
(dB)
0
20
40
80
3
1
0
2
MGR634
IC (mA)
60
900 MHz
2 GHz
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
s
60
C in a common emitter test circuit (see Figs 18 and 19).
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
CQ
(mA)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
C
(%)
Pulsed; class-AB;
< 1 : 2; t
p
= 5 ms
2
3.6
1
100
typ. 13.5
typ. 45
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