參數資料
型號： BFG480W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG480W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BFG480W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always
文件頁數： 6/16頁
文件大?。?/td> 362K
代理商： BFG480W
1998 Oct 21
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz.
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
40
80
160
0
16
MGR628
IC (mA)
120
12
8
4
S21
Gmax
I
C
= 80 mA; V
CE
= 2 V.
Fig.8
Gain as a function of frequency;
typical values.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
10
2
10
3
10
4
MGR629
10
20
30
40
f (MHz)
MSG
S21
Gmax
相關PDF資料
PDF描述
BFG480W NPN wideband transistor
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
BFG480W,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 4.5V 21GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG480W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG480W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R
BFG-5000 制造商:Misc 功能描述:
BFG505 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*