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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG480 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN wideband transistor |
| 中文描述： | 叩寬帶晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 160K |
| 代理商： | BFG480 |
1998 Oct 21
12
Philips Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
Fig.19 Printed-circuit board and component layout for 2 GHz class-AB test circuit in Fig.18.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad PTFE fibre-glass board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
handbook, full pagewidth
MBK827
45
35
C4
C6
C7
R3
R2
R1
TR1
C5
L3
L4
L5
output
C2
L1
L2
input
C1
C3
DUT
VC
VS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG65 | NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFQ251 | PNP video transistor |
| BFQ252 | PNP video transistors |
| BFQ252A | PNP video transistors |
| BFQ270 | NPN 6 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG480W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG480W NPN wideband transistor |
| BFG480W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 4.5V 21GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG480W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG480W115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R |
| BFG-5000 | 制造商:Misc 功能描述: |
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