參數(shù)資料
型號(hào)： BFG480
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN wideband transistor
中文描述： 叩寬帶晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 10/16頁(yè)
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代理商： BFG480
1998 Oct 21
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
Fig.14 Power gain and collector efficiency as a
function of load power; typical values.
Pulsed, class-AB operation;
δ
< 1 ; 2; t
p
= 5 ms.
f = 2 GHz; V
CE
= 2.4 V; I
CQ
= 1 mA; tuned at P
L
= 100 mW.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
10
14
18
26
12
4
0
8
MGR635
PL (dBm)
Gp
80
60
20
0
40
22
η
C
(%)
η
C
Fig.15 Power gain and collector efficiency as a
function of load power; typical values.
Pulsed, class-AB operation;
δ
< 1 ; 2; t
p
= 5 ms.
f = 2 GHz; V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; tuned at P
L
= 100 mW.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
10
14
18
26
12
4
0
8
MGR636
PL (dBm)
Gp
80
60
20
0
40
22
η
C
(%)
η
C
Fig.16 Input impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; P
L
= 100 mW; T
s
≤
60
°
C.
handbook, halfpage
(
)
1.8
1.85
1.9
2
0
8
MGR637
1.95
6
4
2
f (GHz)
ri
xi
Fig.17 Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; P
L
= 100 mW; T
s
≤
60
°
C.
handbook, halfpage
1.8
1.85
1.9
2
0
MGR638
1.95
20
10
ZL
(
)
f (GHz)
RL
XL
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