參數(shù)資料
型號(hào)： BFG425W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 25 GHz wideband transistor
封裝： BFG425W/B<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BFG425W/C<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Al
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代理商： BFG425W
2010 Sep 15
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 25 GHz wideband transistor
BFG425W
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) V
CE
= 3 V.
(2) V
CE
= 2 V.
(3) V
CE
= 1 V.
handbook, halfpage
0
10
20
40
30
MGG682
0
40
80
IC (mA)
hFE
(3)
(2)
(1)
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
(fF)
0
1
5
120
40
0
80
160
2
3
4
MGG683
VCB (V)
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(GHz)
0
5
10
15
20
MGG684
1
10
10
2
IC (mA)
V
CE
= 2 V; f = 900 MHz.
Fig.6
Maximum stable gain as a function of
collector current; typical values.
handbook, halfpage
0
10
20
40
30
MGG685
0
10
20
IC (mA)
MSG
(dB)
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PDF描述
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