參數(shù)資料
型號： BFG425W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 25 GHz wideband transistor
封裝： BFG425W/B<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BFG425W/C<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Al
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代理商： BFG425W
2010 Sep 15
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 25 GHz wideband transistor
BFG425W
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
10
4.5
1
30
135
+150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
T
s
103
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
40
160
150
50
0
100
80
120
MGG681
Ts (
°
C)
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
350
K/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG425W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG425W@115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R
BFG425W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R
BFG480 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband transistor
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