參數(shù)資料
型號(hào): BFG424W
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 振蕩器
英文描述: NPN 25 GHz wideband transistor
封裝: BFG424W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù): 8/14頁
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代理商: BFG424W
BFG424W
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Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
8 of 14
NXP Semiconductors
BFG424W
NPN 25 GHz wideband transistor
V
CE
= 2 V; I
C
= 25 mA
Fig 11. Common emitter forward transmission coefficient (s
21
); typical values
V
CE
= 2 V; I
C
= 25 mA; Z
o
= 50
Fig 12. Common emitter output reflection coefficient (s
22
); typical values
001aad814
90
°
90
°
45
°
135
°
45
°
135
°
0
°
0
180
°
50
40
30
20
10
12 GHz
100 MHz
001aad815
90
°
90
°
5
0.5
0.2
+0.2
0
+2
+5
5
2
0.2
+0.5
0.5
+1
1
2
1
10
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
°
135
°
45
°
135
°
180
°
0
°
12 GHz
100 MHz
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參數(shù)描述
BFG424W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG425W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK
BFG425W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG425W,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG425W@115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R