- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378413 > BFG424W (NXP Semiconductors N.V.) NPN 25 GHz wideband transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG424W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | BFG424W |
第1頁(yè)第2頁(yè)當(dāng)前第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)
BFG424W
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
3 of 14
NXP Semiconductors
BFG424W
NPN 25 GHz wideband transistor
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
R
th(j-sp)
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
Max
10
4.5
1
30
135
+150
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
sp
103
C
[1]
-
65
-
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to solder point
Conditions
T
sp
103
C
Typ
Unit
K/W
[1]
340
Fig 1.
Power derating curve
0
40
160
200
150
50
0
100
80
120
mgg681
T
sp
(
°
C)
P
tot
(mW)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK |
| BFG425W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W@115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。