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參數資料
| 型號： | BFG424W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | BFG424W |
BFG424W
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
10 of 14
NXP Semiconductors
BFG424W
NPN 25 GHz wideband transistor
8. Package outline
Fig 14. Package outline SOT343R
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT343R
D
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
X
2
1
4
3
Plastic surface-mounted package; reverse pinning; 4 leads
SOT343R
w
M
B
97-05-21
06-03-16
bp
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
e1
A
e
y
b1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK |
| BFG425W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W@115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
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