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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG424W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/14頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | BFG424W |
BFG424W
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
9 of 14
NXP Semiconductors
BFG424W
NPN 25 GHz wideband transistor
7.1 Noise data
Table 8.
V
CE
= 2 V; typical values.
f
(MHz)
900
Noise data
I
C
(mA)
1
2
4
10
15
20
25
30
1
2
4
10
15
20
25
30
NF
min
(dB)
0.7
0.81
1
1.4
1.65
1.9
2.1
2.3
1.3
1.2
1.2
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
opt
ratio
0.67
0.48
0.28
0.02
0.11
0.19
0.25
0.29
0.56
0.43
0.22
0.06
0.13
0.17
0.22
0.27
r
n
(
)
0.40
0.27
0.24
0.19
0.18
0.18
0.19
0.19
0.36
0.25
0.18
0.19
0.20
0.20
0.21
0.25
(deg)
19.1
17.8
11.7
63.9
162.4
165.5
166.3
166.5
57.5
57.2
60.8
137.4
162.1
155.5
152.2
150.8
2000
(1) f = 2 GHz
(2) f = 900 MHz
Fig 13. Minimum noise figure as a function of collector current; typical values
001aad816
I
C
(mA)
0
30
20
10
1
2
3
NF
min
(dB)
0
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK |
| BFG425W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W@115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
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