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參數(shù)資料
| 型號： | BFG424W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 2/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | BFG424W |
BFG424W
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BFG424W
NPN 25 GHz wideband transistor
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
G
p(max)
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
p(max)
= Maximum Stable Gain (MSG), see
Figure 8
.
[2]
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
BFG424W
[1]
* = p: made in Hong Kong.
h
FE
DC current gain
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
C
V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
50
80
120
C
CBS
collector-base
capacitance
transition frequency
-
105
-
fF
f
T
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz;
S
=
opt
-
25
-
GHz
G
p(max)
maximum power gain
[2]
-
22
-
dB
NF
noise figure
-
1.2
-
dB
Table 1.
Symbol
Quick reference data
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Pinning
Description
emitter
base
Simplified outline
Symbol
3
4
emitter
collector
2
1
4
3
mbb159
4
1, 3
2
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface mounted package; reverse pinning;
4 leads
Version
SOT343R
BFG424W
Marking
Marking code
[1]
ND*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK |
| BFG425W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W@115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
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