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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG424W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | BFG424W |
BFG424W
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BFG424W
NPN 25 GHz wideband transistor
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
Transition frequency as a function of collector
current; typical values
V
CE
= 2 V; f = 0.9 GHz; T
amb
= 25
C
Gain as a function of collector current; typical
values
Fig 5.
Fig 6.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
Gain as a function of collector current; typical
values
V
CE
= 2 V; I
C
= 25 mA; T
amb
= 25
C
Gain as a function of frequency; typical values
Fig 7.
Fig 8.
001aad808
10
20
30
f
T
(GHz)
0
I
C
(mA)
1
10
2
10
001aad809
10
20
30
G
(dB)
0
I
C
(mA)
1
10
2
10
MSG
s
21 2
001aad810
10
20
30
G
(dB)
0
I
C
(mA)
1
10
2
10
G
p(max)
MSG
s
21 2
f (GHz)
10
1
10
2
10
1
001aad811
20
30
10
40
50
G
(dB)
0
MSG
G
p(max)
s
21 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-343R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK |
| BFG425W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W@115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
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