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參數(shù)資料
| 型號： | BFG35 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 4 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG35<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | BFG35 |
1999 Aug 24
10
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFG35
Fig.15 Common emitter reverse transmission coefficient (S
12
).
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; T
amb
= 25
C.
handbook, full pagewidth
MBB285
0o
30o
60o
90o
120o
150o
180o
150o
120o
90o
60o
30o
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
Fig.16 Common emitter output reflection coefficient (S
22
).
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; T
amb
= 25
C; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MBB379
10
25
50
100
250
10
25
50
100
250
0
+ j
– j
0
10
50
100
250
25
3 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG35,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 10V 150mA 4GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG35,116 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:0 |
| BFG35115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223 |
| BFG35T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150MA I(C) | SOT-223 |
| BFG403W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 17 GHz wideband transistor |
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