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參數(shù)資料
| 型號： | BFG424F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | BFG424F |
1. Product profile
1.1 General description
NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications
in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
1.2 Features and benefits
Very high power gain
Low noise figure
High transition frequency
Emitter is thermal lead
Low feedback capacitance
1.3 Applications
Radio Frequency (RF) front end wideband applications such as:
analog and digital cellular telephones
cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Handy-phone
System (PHS), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)
radar detectors
pagers
Satellite Antenna TeleVison (SATV) tuners
high frequency oscillators e.g. Dielectric Resonator Oscillator (DRO) for Low Noise
Block (LNB)
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
BFG424F
NPN 25 GHz wideband transistor
Rev. 2 — 13 September 2011
Product data sheet
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
Quick reference data
Parameter
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current
total power dissipation
Conditions
open emitter
open base
Min
-
-
-
Typ
-
-
25
-
Max
10
4.5
30
135
Unit
V
V
mA
mW
T
sp
90
C
[1]
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG424F T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG424F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG424F115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343 |
| BFG424W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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