參數(shù)資料
型號: BFG35
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 晶體管
英文描述: NPN 4 GHz wideband transistor
封裝: BFG35<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 6/14頁
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代理商: BFG35
1999 Aug 24
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFG35
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
(W)
1.0
0
50
100
200
0.8
0.6
0.2
0
0.4
MBB336
150
Ts
o
Fig.5
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 10 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
40
80
160
MBB361
120
IC
FE
h
Fig.6
Feedback capacitance as a function of
collector-emitter voltage.
I
E
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
2
1
0
4
20
MBB381
8
12
16
VCE
Cre
(pF)
Fig.7
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 10 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C
handbook, halfpage
T
0
40
80
160
6
2
0
4
MBB357
120
IC
(GHz)
f
相關PDF資料
PDF描述
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
BFG424F NPN 25 GHz wideband transistor
BFG424F NPN 25 GHz wideband transistor
BFG424F NPN 25 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
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