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參數(shù)資料
| 型號： | BFG35 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 4 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG35<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 2/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | BFG35 |
1999 Aug 24
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFG35
DESCRIPTION
NPN planar epitaxial transistor
mounted in a plastic SOT223
envelope, intended for wideband
amplifier applications. It features high
output voltage capabilities.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
emitter
base
emitter
collector
Fig.1 SOT223.
lfpage
4
1
2
3
MSB002 - 1
Top view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
25
TYP.
70
4
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
f
T
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
open base
18
150
1
V
mA
W
up to T
s
= 135
C (note 1)
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; T
j
= 25
C
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
C
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V;
f = 800 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V;
d
im
=
60 dB; R
L
= 75
;
f
(p+q
r)
= 793.25 MHz; T
amb
= 25
C
15
dB
11
dB
V
o
output voltage
750
mV
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
25
18
2
150
1
+150
175
V
V
V
mA
W
C
C
up to T
s
= 135
C (note 1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG35 | NPN 4 GHz wideband transistor |
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424F | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG35,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 10V 150mA 4GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG35,116 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:0 |
| BFG35115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223 |
| BFG35T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150MA I(C) | SOT-223 |
| BFG403W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 17 GHz wideband transistor |
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